Bộ ghép quang thyristor công suất cao OR-X223-EN-V7

1. Tính năng

(1) IFT 10mA hiện tại kích hoạt thấp .

(2) Điện áp trạng thái TẮT cực đại lặp lại 800V .

(3) Dòng tải 0,3A,0,6A,0,9A hoặc 1,2A .

(4) Phạm vi nhiệt độ hoạt động rộng từ -55°C đến 85°C .

(5) Điện áp cách ly cao giữa đầu vào và đầu ra (Viso=5000 Vrms).

(6) Phê duyệt an toàn

UL được phê duyệt (Số E323844)

VDE đã được phê duyệt (Số 40029733)

CQC đã được phê duyệt (Số CQC19001231254 )

(7) Tuân thủ các tiêu chuẩn RoHS, REACH.

(8) Lớp MSL Ⅰ

2. Hướng dẫn

Mỗi dòng thiết bị OR-X223 đều bao gồm một đi-ốt phát hồng ngoại GaAs được ghép nối quang học với triac ảnh pha ngẫu nhiên silicon nguyên khối và một triac đầu ra chính. Chúng được thiết kế để giao tiếp giữa các bộ điều khiển điện tử và tải để điều khiển cảm ứng cho các hoạt động 115 đến 240 VAC. Chúng được đóng gói trong gói DIP 8 chân và có sẵn trong tùy chọn SMD gắn trên bề mặt.

3. Phạm vi ứng dụng

 Đồ gia dụng

 Thiết bị công nghiệp

 Động cơ chuyển mạch, quạt, máy sưởi, cuộn dây và van.

 Điều khiển nguồn như điều khiển ánh sáng và nhiệt độ

4. Sơ đồ chức năng

Anode LED 2

LED Cathode 1,3,4

Cổng Triac  5

Triac T1 6

Triac T2 8

5. Xếp hạng tối đa tuyệt đối (Ta=25°C)

Ghi chú:

*1 f =100Hz, Chu kỳ nhiệm vụ = 0,1%

*2 Sóng hình sin, 50 đến 60Hz, IFT=0mA.

*3 f=60Hz, một chu kỳ.

*4 AC trong 1 phút, R.H.= 40 ~ 60% R.H. Trong thử nghiệm này,

chân 1, 2, 3, 4 bị chập mạch với nhau và các chân 5, 6, 7, 8 bị chập mạch với nhau.

*5 Trong 10 giây

 

6. Hồ sơ nhiệt độ hàn

（1) Hàn phản xạ hồng ngoại (tuân thủ JEDEC-STD-020C)

Lưu ý: nên sử dụng một dòng hàn ngược trong các điều kiện được mô tả bên dưới trong cấu hình nhiệt độ và thời gian. Không hàn  quá ba lần.